TPC8407,LQ(S

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Toshiba

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOP-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

7.4 A, 9 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

23 mOhms, 17 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

800 mV, 1.3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

39 nC, 17 nC

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.5 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.68 mm

Länge:

4.9 mm

Serie:

TPC8407

Transistortyp:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Breite:

3.9 mm

Marke:

Toshiba

Abfallzeit:

42 ns, 2.5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

8 ns, 2.1 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

140 ns, 20 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

16 ns, 7.9 ns

Gewichtseinheit:

0.030018 oz

Tags

TPC8407, TPC84, TPC8, TPC