KTC3198-Y A1G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Taiwan Halbleiter

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-92-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

50 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

60 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

0.25 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

0.15 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

80 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

DC-Stromverstärkung hFE Max:

240

Verpackung:

Spule

Marke:

Taiwan Halbleiter

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

0.15 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

120

Pd - Verlustleistung:

500 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

4000

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.007654 oz

Tags

KTC3198-Y, KTC3198, KTC319, KTC31, KTC3, KTC