NTD60N02RT4G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

25 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

62 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

8.4 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.87 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

2.38 mm

Länge:

6.73 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

MOSFET

Breite:

6.22 mm

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

27 S

Abfallzeit:

33 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

33 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

19 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

7 ns

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

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