IXTH160N10T

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-247-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

160 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

5.8 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

132 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

430 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

HiPerFET

Verpackung:

Rohr

Höhe:

21.46 mm

Länge:

16.26 mm

Serie:

IXTH160N10

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

5.3 mm

Marke:

IXYS

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

65 S

Abfallzeit:

42 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

61 ns

Werkspackungsmenge:

30

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

49 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

33 ns

Gewichtseinheit:

0.229281 oz

Tags

IXTH160, IXTH16, IXTH1, IXTH, IXT