DMN2004DWK-7

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-363-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

540 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

550 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

500 mV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V

Qg - Gate-Ladung:

0.53 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

200 mW

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1 mm

Länge:

2.2 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

DMN2004

Transistortyp:

2 N-Channel

Breite:

1.35 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

10.5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

7.3 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

13.8 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

4.1 ns

Gewichtseinheit:

0.000212 oz

Tags

DMN2004DW, DMN2004D, DMN2004, DMN200, DMN20, DMN2, DMN