FMMTH10TA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-23-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

25 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

30 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

3 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

0.025 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

650 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

FMMTH10

DC-Stromverstärkung hFE Max:

60 at 4 mA, 10 V

Höhe:

1 mm

Länge:

3.05 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

1.4 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

0.025 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

60 at 4 mA, 10 V

Pd - Verlustleistung:

330 mW

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.000282 oz

Tags

FMMT, FMM