DMHC4035LSDQ-13

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

4 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

40 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

4.5 A, 3.7 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

26 mOhms, 49 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V, 3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

12.5 nC, 11.1 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.5 W

Aufbau:

Quad

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

2 N-Channel, 2 P-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

5.5 ns, 15.3 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

2.6 ns, 2.9 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

15 ns, 36.3 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

3.1 ns, 3.6 ns

Gewichtseinheit:

0.002610 oz

Tags

DMHC, DMH