DMG4496SSS-13

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

10 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

16 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

25 V

Qg - Gate-Ladung:

4.7 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.42 W

Aufbau:

Single

Verpackung:

Spule

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

DMG4496

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

11.7 S

Abfallzeit:

4.9 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

3.64 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

4.9 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

4.76 ns

Gewichtseinheit:

0.002610 oz

Tags

DMG449, DMG44, DMG4, DMG