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IRFSL5615PBF

IRFSL5615PBF
Mfr. #:
IRFSL5615PBF
Hersteller:
Infineon Technologies
Beschreibung:
MOSFET Audio MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IRFSL5615PBF Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IRFSL5615PBF DatasheetIRFSL5615PBF Datasheet (P4-P6)IRFSL5615PBF Datasheet (P7-P9)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Infineon
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
TO-252-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
150 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
33 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
34.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Qg - Gate-Ladung:
26 nC
Pd - Verlustleistung:
144 W
Aufbau:
Single
Verpackung:
Rohr
Höhe:
2.3 mm
Länge:
6.5 mm
Transistortyp:
1 N-Channel
Breite:
6.22 mm
Marke:
Infineon-Technologien
Produktart:
MOSFET
Werkspackungsmenge:
1000
Unterkategorie:
MOSFETs
Teil # Aliase:
SP001567730
Gewichtseinheit:
0.139332 oz
Tags
IRFSL5, IRFSL, IRFS, IRF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ineon SCT
Digital Audio 150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package, TO262-3, RoHS
***ure Electronics
Single N-Channel 150 V 42 mOhm 40 nC HEXFET® Power Mosfet - TO-262
***ark
Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:33mA; Drain Source Voltage, Vds:150V; On Resistance, Rds(on):34.5mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:3V; Power Dissipation, Pd:144W ;RoHS Compliant: Yes
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IRFSL5615PBF
DISTI # IRFSL5615PBF-ND		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 150V 33A TO-262
RoHS: Compliant
Min Qty: 1000
Container: Tube		Temporarily Out of Stock
  • 1000:$1.2342
IRFSL5615PBF
DISTI # 70019767		Infineon Technologies AGIRFSL5615PBF N-channel MOSFET Transistor,33 A,150 V,3-Pin TO-262
RoHS: Compliant		0
  • 450:$1.9300
IRFSL5615PBF
DISTI # 942-IRFSL5615PBF		Infineon Technologies AGMOSFET Audio MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC
RoHS: Compliant		0
  • 1:$2.2800
  • 10:$1.9400
  • 100:$1.5500
  • 500:$1.3600
  • 1000:$1.1300
IRFSL5615PBF
DISTI # 9075141P		Infineon Technologies AGMOSFET N-CHANNEL HEXFET 150V 33A TO262, TU10
  • 100:£1.2260
  • 500:£1.1190
  • 1000:£0.9400
  • 2500:£0.8980
Bild Teil # Beschreibung
IRFSL5615PBF

Mfr.#: IRFSL5615PBF

OMO.#: OMO-IRFSL5615PBF

 MOSFET Audio MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC
IRFSL5620PBF

Mfr.#: IRFSL5620PBF

OMO.#: OMO-IRFSL5620PBF

 MOSFET Audio MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC
IRFSL5620PBF

Mfr.#: IRFSL5620PBF

OMO.#: OMO-IRFSL5620PBF-INFINEON-TECHNOLOGIES

 MOSFET N-CH 200V 24A TO262
IRFSL59N10D

Mfr.#: IRFSL59N10D

OMO.#: OMO-IRFSL59N10D-INFINEON-TECHNOLOGIES

 MOSFET N-CH 100V 59A TO-262
IRFSL52N15D

Mfr.#: IRFSL52N15D

OMO.#: OMO-IRFSL52N15D-1190

 Neu und Original
IRFSL52N15DPBF

Mfr.#: IRFSL52N15DPBF

OMO.#: OMO-IRFSL52N15DPBF-1190

 Neu und Original
IRFSL5615PBF

Mfr.#: IRFSL5615PBF

OMO.#: OMO-IRFSL5615PBF-INFINEON-TECHNOLOGIES

 MOSFET N-CH 150V 33A TO-262
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
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Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
2,27 $
2,27 $
10
1,93 $
19,30 $
100
1,54 $
154,00 $
500
1,35 $
675,00 $
1000
1,12 $
1 120,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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