FDI150N10

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-262-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

100 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

57 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

12 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

110 W

Aufbau:

Single

Handelsname:

PowerTrench

Verpackung:

Rohr

Höhe:

7.88 mm

Länge:

10.29 mm

Serie:

FDI150N10

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

Power Trench MOSFET

Breite:

4.83 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

156 S

Abfallzeit:

83 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

164 ns

Werkspackungsmenge:

800

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

86 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

47 ns

Gewichtseinheit:

0.073511 oz

Tags

FDI1, FDI