JAN2N2369A/TR

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Mikrochip

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

N

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-206AA-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

15 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

40 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

4.5 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

0.2 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

0.1 A

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 200 C

DC-Stromverstärkung hFE Max:

120 at 100 mA, 1 V

Marke:

Mikrochip / Mikrosemi

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

20 at 100 mA, 1 V

Pd - Verlustleistung:

0.36 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

1

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

Jan2N2369A, Jan2N236, Jan2N23, Jan2N2, Jan2N, Jan2, JAN