STD1NK80Z-1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-251-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

800 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

1 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

16 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3.75 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

7.7 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

45 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

6.2 mm

Länge:

6.6 mm

Serie:

STQ1NK80ZR-AP

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

2.4 mm

Marke:

STMicroelectronics

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

0.8 S

Abfallzeit:

55 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

30 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

22 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

8 ns

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

STD1NK8, STD1NK, STD1N, STD1, STD