ZXTDA1M832TA

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

T

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

MLP-832-8

Polarität des Transistors:

NPN, PNP

Aufbau:

Dual

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

15 V, 12 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

40 V, 20 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

7.5 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

240 mV

Maximaler DC-Kollektorstrom:

5 A, 4.4 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

110 MHz, 120 MHz

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

DC-Stromverstärkung hFE Max:

200

Höhe:

1 mm

Länge:

3 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

2 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

4.5 A, - 4 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

200 at 10 mA, 2 V at NPN, 300 at 200 mA, 2 V at NPN, 200 at 3 A, 2 V at NPN, 150 at 5 A, 2 V at NPN, 300 at 10 mA, 2 V at PNP, 300 at 100 mA, 2 V at PNP, 180 at 2.5 A, 2 V at PNP, 60 at 8 A, 2 V at PNP, 45 at 10 A, 2 V at PNP

Pd - Verlustleistung:

1.5 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

ZXTDA1M, ZXTDA1, ZXTDA, ZXTD, ZXT