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TK62N60X,S1F

TK62N60X,S1F
Mfr. #:
TK62N60X,S1F
Hersteller:
Toshiba
Beschreibung:
MOSFET DTMOSIV-High Speed 600V 40mOhmmax
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
TK62N60X,S1F Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
TK62N60X,S1F DatasheetTK62N60X,S1F Datasheet (P4-P6)TK62N60X,S1F Datasheet (P7-P9)TK62N60X,S1F Datasheet (P10)
ECAD Model:
Mehr Informationen:
TK62N60X,S1F Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Toshiba
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-247-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
600 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
61.8 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
33 mOhms
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
3.5 V
Vgs - Gate-Source-Spannung:
30 V
Qg - Gate-Ladung:
135 nC
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
400 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Handelsname:
DTMOSIV
Höhe:
20.95 mm
Länge:
15.94 mm
Serie:
TK62N60X
Transistortyp:
1 N-Channel
Breite:
5.02 mm
Marke:
Toshiba
Vorwärtstranskonduktanz - Min:
-
Abfallzeit:
10 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
40 ns
Werkspackungsmenge:
30
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
240 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
90 ns
Gewichtseinheit:
1.340411 oz
Tags
TK62N60X, TK62N, TK62, TK6
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Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ark
X35 Pb-F Power Mosfet Transistor To-247(Os) Moq=2000 Pd=400W F=1Mhz Rohs Compliant: Yes
***ical
Trans MOSFET N-CH Si 600V 61.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
***et
Trans MOSFET N-CH 600V 61.8A 3-Pin TO-247
***i-Key
MOSFET N-CH 600V 61.8A TO-247
***
600V HIGH SPEED 40MOHM DTMOS
Gen-4 Super Junction DTMOS MOSFETs
Toshiba Gen-4 Super-Junction DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, DTMOSIV which provides a 30% reduction in RDS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. With a reduction in the RDS(on) it makes it possible to house lower RDS(on) chips in the same packages. This helps to improve the efficiency and reduce the size of power supplies. These devices are ideal for use with switching regulators.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
TK62N60X,S1F
DISTI # V99:2348_13896163		Toshiba America Electronic ComponentsMOSFET N-CH 600V 61.8A TO-24744
  • 1000:$5.1050
  • 500:$5.7970
  • 250:$6.3310
  • 100:$6.8560
  • 25:$7.5370
  • 10:$8.2140
  • 1:$9.0310
TK62N60X,S1F
DISTI # TK62N60XS1F-ND		Toshiba America Electronic ComponentsMOSFET N-CH 600V 61.8A TO-247
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube		667In Stock
  • 510:$6.9820
  • 120:$8.3333
  • 30:$9.2343
  • 1:$11.2600
TK62N60X,S1F
DISTI # 25885819		Toshiba America Electronic ComponentsMOSFET N-CH 600V 61.8A TO-24744
  • 25:$7.5120
  • 10:$8.1850
  • 2:$8.9970
TK62N60X,S1F
DISTI # TK62N60X,S1F		Toshiba America Electronic ComponentsTrans MOSFET N-CH 600V 61.8A 3-Pin TO-247 - Rail/Tube (Alt: TK62N60X,S1F)
RoHS: Compliant
Min Qty: 30
Container: Tube		Americas - 0
  • 30:$6.3900
  • 60:$5.9900
  • 120:$5.5900
  • 180:$5.2900
  • 300:$5.1900
TK62N60X,S1F
DISTI # 757-TK62N60XS1F		Toshiba America Electronic ComponentsMOSFET DTMOSIV-High Speed 600V 40mOhmmax
RoHS: Compliant		183
  • 1:$10.2400
  • 10:$9.2200
  • 25:$8.4000
  • 100:$7.5800
  • 250:$6.9700
  • 500:$6.3500
  • 1000:$5.5300
TK62N60X,S1F(S
DISTI # 1250586		Toshiba America Electronic ComponentsMOSFET N-CHANNEL 600V 61.8A TO247, EA7
  • 1:£6.1000
  • 5:£5.4800
  • 10:£5.0100
  • 25:£4.9400
  • 50:£4.8800
TK62N60X,S1F
DISTI # C1S751200963010		Toshiba America Electronic ComponentsMOSFETs
RoHS: Compliant		44
  • 25:$7.5120
  • 10:$8.1850
  • 1:$8.9970
TK62N60XS1FToshiba America Electronic ComponentsMOSFET 600V HIGH SPEED 40MOHM DTMOS
RoHS: Compliant		Americas - 60
  • 30:$6.8710
  • 60:$6.5000
  • 120:$6.1560
  • 270:$5.7580
TK62N60X,S1FToshiba America Electronic ComponentsMOSFET DTMOSIV-High Speed 600V 40mOhmmax
RoHS: Compliant		Americas - 60
  • 30:$6.8710
  • 60:$6.5000
  • 120:$6.1560
  • 270:$5.7580
Bild Teil # Beschreibung
STR2550

Mfr.#: STR2550

OMO.#: OMO-STR2550

 Bipolar Transistors - BJT 50mA High Volt PNP Neg 500V Pwr Trans
STR1550

Mfr.#: STR1550

OMO.#: OMO-STR1550

 Bipolar Transistors - BJT 50mA High Volt NPN 500V Pwr Trans
LTC6820IMS#PBF

Mfr.#: LTC6820IMS#PBF

OMO.#: OMO-LTC6820IMS-PBF

 Interface - Specialized isoSPI Iso Communications Int
MMBZ5242BLT1G

Mfr.#: MMBZ5242BLT1G

OMO.#: OMO-MMBZ5242BLT1G

 Zener Diodes 12V 225mW
MCP9701AT-E/TT

Mfr.#: MCP9701AT-E/TT

OMO.#: OMO-MCP9701AT-E-TT

 Board Mount Temperature Sensors Linear Active Thermister IC
RC0603FR-071KL

Mfr.#: RC0603FR-071KL

OMO.#: OMO-RC0603FR-071KL

 Thick Film Resistors - SMD 1K OHM 1%
0ADEC9200-BE

Mfr.#: 0ADEC9200-BE

OMO.#: OMO-0ADEC9200-BE

 Cartridge Fuses FUSE, CERAMIC TUBE 20A, 500VAC/VDC
STR1550

Mfr.#: STR1550

OMO.#: OMO-STR1550-STMICROELECTRONICS

 Bipolar Transistors - BJT 50mA High Volt NPN 500V Pwr Trans
STR2550

Mfr.#: STR2550

OMO.#: OMO-STR2550-STMICROELECTRONICS

 Bipolar Transistors - BJT 50mA High Volt PNP Neg 500V Pwr Trans
06035C104K4Z2A

Mfr.#: 06035C104K4Z2A

OMO.#: OMO-06035C104K4Z2A-AVX

 Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 50volts 0.1uF 10% X7R
Verfügbarkeit
Aktie:
318
Auf Bestellung:
2301
Menge eingeben:
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Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
10,24 $
10,24 $
10
9,22 $
92,20 $
25
8,40 $
210,00 $
100
7,58 $
758,00 $
250
6,97 $
1 742,50 $
500
6,35 $
3 175,00 $
1000
5,53 $
5 530,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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