IXTA24P085T

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-263-3

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

85 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

24 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

65 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

15 V

Qg - Gate-Ladung:

41 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

83 W

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

GrabenP

Verpackung:

Rohr

Höhe:

4.83 mm

Länge:

9.65 mm

Serie:

IXTA24P085

Typ:

TrenchP Leistungs-MOSFET

Breite:

10.41 mm

Marke:

IXYS

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

10 S

Abfallzeit:

26 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

26 ns

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

53 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

18 ns

Gewichtseinheit:

0.056438 oz

Tags

IXTA24, IXTA2, IXTA, IXT