CSD18541F5T

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Texas Instruments

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

PICOSTAR-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

2.2 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

65 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.75 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

11 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

500 mW (1/2 W)

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

PicoStar

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.35 mm

Länge:

1.53 mm

Serie:

CSD18541F5

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

0.77 mm

Marke:

Texas Instruments

Abfallzeit:

496 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

540 ns

Werkspackungsmenge:

250

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

1076 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

572 ns

Gewichtseinheit:

0.000025 oz

Tags

CSD1854, CSD185, CSD18, CSD1, CSD