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IXTH34N65X2

IXTH34N65X2
Mfr. #:
IXTH34N65X2
Hersteller:
Littelfuse
Beschreibung:
Discrete Semiconductor Modules DiscMSFT NChUltraJnctn X2Class TO-247AD
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IXTH34N65X2 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IXTH34N65X2 DatasheetIXTH34N65X2 Datasheet (P4-P6)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
IXYS
Produktkategorie:
Diskrete Halbleitermodule
RoHS:
Y
Produkt:
Leistungs-MOSFET-Module
Typ:
X2-Class
Vgs - Gate-Source-Spannung:
30 V
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-247-3
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Verpackung:
Rohr
Aufbau:
Single
Marke:
IXYS
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Abfallzeit:
30 ns
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
34 A
Pd - Verlustleistung:
540 W
Produktart:
Diskrete Halbleitermodule
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
96 mOhms
Anstiegszeit:
48 ns
Werkspackungsmenge:
30
Unterkategorie:
Diskrete Halbleitermodule
Handelsname:
HiPerFET
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
68 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
30 ns
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
650 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:
3 V
Tags
IXTH3, IXTH, IXT
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ment14 APAC
MOSFET, N-CH, 650V, 34A, TO-247
***S
new, original packaged
***ark
Mosfet, N-Ch, 650V, 34A, To-247; Transistor Polarity:n Channel; Continuous Drain Current Id:34A; Drain Source Voltage Vds:650V; On Resistance Rds(On):0.096Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:5V; Power Dissipationrohs Compliant: Yes
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IXTH34N65X2
DISTI # IXTH34N65X2-ND		IXYS CorporationMOSFET N-CH 650V 34A TO-247
RoHS: Compliant
Min Qty: 60
Container: Tube		Temporarily Out of Stock
  • 60:$4.5000
IXTH34N65X2
DISTI # 9171463P		IXYS CorporationN-CH X2 SERIES MOSFET 650V 34A TO-247, TU114
  • 180:£3.7400
  • 90:£3.9850
  • 30:£4.2350
  • 10:£4.3450
IXTH34N65X2
DISTI # 2674780		IXYS CorporationMOSFET, N-CH, 650V, 34A, TO-247
RoHS: Compliant		0
  • 500:$4.4900
  • 250:$4.5800
  • 100:$4.8300
  • 25:$5.1200
  • 10:$5.7700
  • 1:$6.1700
IXTH34N65X2
DISTI # 2674780		IXYS CorporationMOSFET, N-CH, 650V, 34A, TO-247
RoHS: Compliant		0
  • 500:£3.2300
  • 250:£3.3000
  • 100:£3.3700
  • 10:£3.4400
  • 1:£3.5100
Bild Teil # Beschreibung
IXTH34N65X2

Mfr.#: IXTH34N65X2

OMO.#: OMO-IXTH34N65X2

 Discrete Semiconductor Modules DiscMSFT NChUltraJnctn X2Class TO-247AD
IXTH30N60P

Mfr.#: IXTH30N60P

OMO.#: OMO-IXTH30N60P

 MOSFET 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds
IXTH360N055T2

Mfr.#: IXTH360N055T2

OMO.#: OMO-IXTH360N055T2

 MOSFET 360Amps 55V
IXTH32P20T

Mfr.#: IXTH32P20T

OMO.#: OMO-IXTH32P20T

 MOSFET TrenchP Power MOSFET
IXTH30N25

Mfr.#: IXTH30N25

OMO.#: OMO-IXTH30N25

 MOSFET 30 Amps 250V 0.075 Rds
IXTH30N50

Mfr.#: IXTH30N50

OMO.#: OMO-IXTH30N50

 MOSFET 30 Amps 500V 0.17 Rds
IXTH34N65X2

Mfr.#: IXTH34N65X2

OMO.#: OMO-IXTH34N65X2-IXYS-CORPORATION

 MOSFET N-CH 650V 34A TO-247
IXTH32P20T

Mfr.#: IXTH32P20T

OMO.#: OMO-IXTH32P20T-IXYS-CORPORATION

 MOSFET TrenchP Power MOSFET
IXTH3N120

Mfr.#: IXTH3N120

OMO.#: OMO-IXTH3N120-IXYS-CORPORATION

 IGBT Transistors MOSFET 3 Amps 1200V 4.500 Rds
IXTH3N100P

Mfr.#: IXTH3N100P

OMO.#: OMO-IXTH3N100P-IXYS-CORPORATION

 MOSFET 3 Amps 1000V
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
5500
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Der aktuelle Preis von IXTH34N65X2 dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
6,43 $
6,43 $
10
5,75 $
57,50 $
25
5,00 $
125,00 $
50
4,90 $
245,00 $
100
4,71 $
471,00 $
250
4,02 $
1 005,00 $
500
3,82 $
1 910,00 $
1000
3,22 $
3 220,00 $
2500
2,76 $
6 900,00 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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