2SB1308T100R

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ROHM Halbleiter

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

MPT-3

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

- 20 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

- 30 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

- 6 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

- 0.45 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

- 3 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

120 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

2SB1308

DC-Stromverstärkung hFE Max:

390

Höhe:

1.5 mm

Länge:

4.5 mm

Verpackung:

Spule

Breite:

2.5 mm

Marke:

ROHM Halbleiter

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

- 3 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

82

Pd - Verlustleistung:

2 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

Transistoren

Tags

2SB1308T, 2SB1308, 2SB130, 2SB13, 2SB1, 2SB