KSH29CITU

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

E

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-251-3

Polarität des Transistors:

NPN

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

100 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

100 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

5 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

0.7 V

Maximaler DC-Kollektorstrom:

1 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

3 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 65 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

DC-Stromverstärkung hFE Max:

75

Höhe:

6.1 mm

Länge:

6.6 mm

Verpackung:

Rohr

Breite:

2.3 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

1 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

15

Pd - Verlustleistung:

15 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

70

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

KSH29C, KSH29, KSH2, KSH