STP9NK65ZFP

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220FP-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

650 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

6.4 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.2 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3.75 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

41 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

30 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

SuperMESH

Verpackung:

Rohr

Höhe:

9.3 mm

Länge:

10.4 mm

Serie:

STP9NK65ZFP

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

4.6 mm

Marke:

STMicroelectronics

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

6 S

Abfallzeit:

15 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

12 ns

Werkspackungsmenge:

1000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

45 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

20 ns

Gewichtseinheit:

0.011640 oz

Tags

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