IXTY64N055T-TRL

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

Diskrete Halbleitermodule

RoHS:

Y

Produkt:

Leistungs-MOSFET-Module

Typ:

GrabenMV

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Verpackung:

Spule

Aufbau:

Single

Marke:

IXYS

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Abfallzeit:

30 ns

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

64 A

Pd - Verlustleistung:

130 W

Produktart:

Diskrete Halbleitermodule

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

13 mOhms

Anstiegszeit:

52 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

Diskrete Halbleitermodule

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

37 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

19 ns

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

55 V

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Tags

IXTY6, IXTY, IXT