IXTT6N120

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-268-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

1.2 kV

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

6 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

2.6 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

56 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

300 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

5.1 mm

Länge:

14 mm

Serie:

IXTT6N120

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

Hochspannungs-Leistungs-MOSFET

Breite:

16.05 mm

Marke:

IXYS

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

3 S

Abfallzeit:

18 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

33 ns

Werkspackungsmenge:

30

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

42 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

28 ns

Gewichtseinheit:

0.158733 oz

Tags

IXTT6, IXTT, IXT