IXFL40N110P

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

IXYS

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-264-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

1.1 kV

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

21 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

280 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

357 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

HiPerFET

Verpackung:

Rohr

Höhe:

26.42 mm

Länge:

20.29 mm

Serie:

IXFL40N110

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

5.21 mm

Marke:

IXYS

Abfallzeit:

54 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

55 ns

Werkspackungsmenge:

25

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

110 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

53 ns

Gewichtseinheit:

0.264555 oz

Tags

IXFL4, IXFL, IXF