STP17N62K3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-220-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

620 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

15 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

380 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

94 nC

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

190 W

Aufbau:

Single

Verpackung:

Rohr

Serie:

STP17N62K3

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

SuperMESH3 Power MOSFET

Marke:

STMicroelectronics

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

1.6 S

Abfallzeit:

63 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

26 ns

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

91 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

25 ns

Gewichtseinheit:

0.011640 oz

Tags

STP17N, STP17, STP1, STP