MG12200D-BA1MM

MG12200D-BA1MM
Mfr. #:
MG12200D-BA1MM
Hersteller:
Littelfuse
Beschreibung:
IGBT Modules 1200V 200A Dual
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
MG12200D-BA1MM Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
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Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Littelfuse
Produktkategorie:
IGBT-Module
RoHS:
Y
Produkt:
IGBT Silizium Module
Aufbau:
Dual
Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:
1200 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:
1.8 V
Kontinuierlicher Kollektorstrom bei 25 C:
300 A
Gate-Emitter-Leckstrom:
400 nA
Pd - Verlustleistung:
1400 W
Paket / Koffer:
Paket D
Minimale Betriebstemperatur:
- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Verpackung:
Schüttgut
Serie:
MG12200D
Marke:
Littelfuse
Montageart:
Chassishalterung
Maximale Gate-Emitter-Spannung:
20 V
Produktart:
IGBT-Module
Werkspackungsmenge:
60
Unterkategorie:
IGBTs
Gewichtseinheit:
10.053079 oz
Tags
MG122, MG12, MG1
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ark
Igbt Module, Dual Npn, 1.2Kv, 300A
***C
IGBT Modules 1200V 200A Dual
***i-Key
IGBT MODULE 1200V 300A 1400W D3
***
1200V 200A D-PACKAGE
Silicon IGBT Power Modules
Littelfuse Silicon IGBT Power Modules ensure high efficiency and fast switching by combining simple MOSFET gate-drive with the high current and low saturation voltage switching capability of bipolar transistors. These features make them well-suited for a wide range of power conversion applications. In addition, the positive temperature coefficient of the modules allows for ease in paralleling to boost the current capability of the system. The modules are rated up to 1700V and 600A in industry standard packages and common topologies.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
MG12200D-BA1MM
DISTI # F6481-ND
Littelfuse IncIGBT 1200V 300A 1400W PKG D
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Bulk
65In Stock
  • 25:$112.4564
  • 10:$116.5310
  • 1:$124.6800
MG12200D-BA1MM
DISTI # 576-MG12200D-BA1MM
Littelfuse IncIGBT Modules 1200V 200A Dual
RoHS: Compliant
1
  • 1:$124.6800
  • 5:$122.2300
  • 10:$116.5400
MG12200D-BA1MM
DISTI # MG12200D-BA1MM
Littelfuse IncIGBT half-bridge,Urmax:1.2kV,Ic:210A,package D,screw,screw10
  • 1:$134.0000
  • 3:$123.0000
  • 10:$107.0000
MG12200D-BA1MMLittelfuse IncIGBT Modules 1200V 200A Dual
RoHS: Compliant
Americas -
    Bild Teil # Beschreibung
    SIA975DJ-T1-GE3

    Mfr.#: SIA975DJ-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SIA975DJ-T1-GE3

    MOSFET -12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
    AY470KE

    Mfr.#: AY470KE

    OMO.#: OMO-AY470KE

    Ceramic Composition Resistors 4.5watt 47ohm 10% High Energy Non-Ind.
    ESQ-115-12-G-D

    Mfr.#: ESQ-115-12-G-D

    OMO.#: OMO-ESQ-115-12-G-D

    PC / 104 Connectors .100" PC/104 Elevated Socket Strip
    TSW-108-23-G-D

    Mfr.#: TSW-108-23-G-D

    OMO.#: OMO-TSW-108-23-G-D

    Headers & Wire Housings .100" Terminal Strip
    AT62-14-0144

    Mfr.#: AT62-14-0144

    OMO.#: OMO-AT62-14-0144

    Automotive Connectors STAMPED FEM CONTACT 14-16 AWG, AU PLATE
    FTR-J2AK006W

    Mfr.#: FTR-J2AK006W

    OMO.#: OMO-FTR-J2AK006W-640

    General Purpose Relays 450VDC/10A 1 formA
    SIA975DJ-T1-GE3

    Mfr.#: SIA975DJ-T1-GE3

    OMO.#: OMO-SIA975DJ-T1-GE3-VISHAY

    MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC-70-6
    TSW-104-23-G-S

    Mfr.#: TSW-104-23-G-S

    OMO.#: OMO-TSW-104-23-G-S-SAMTEC

    Conn Unshrouded Header HDR 4 POS 2.54mm Solder ST Thru-Hole Bulk
    TSW-108-23-G-D

    Mfr.#: TSW-108-23-G-D

    OMO.#: OMO-TSW-108-23-G-D-SAMTEC

    Conn Unshrouded Header HDR 16 POS 2.54mm Solder ST Thru-Hole Bulk
    AY470KE

    Mfr.#: AY470KE

    OMO.#: OMO-AY470KE-OHMITE

    Ceramic Composition Resistors 4.5watt 47ohm 10% High Energy Non-Ind.
    Verfügbarkeit
    Aktie:
    Available
    Auf Bestellung:
    1984
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    Menge
    Stückpreis
    ext. Preis
    1
    124,68 $
    124,68 $
    5
    122,23 $
    611,15 $
    10
    116,54 $
    1 165,40 $
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