SQD50N06-09L_GE3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Vishay

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

E

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

60 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

50 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

7.1 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.5 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

72 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

136 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Qualifikation:

AEC-Q101

Handelsname:

TrenchFET

Verpackung:

Spule

Höhe:

2.38 mm

Länge:

6.73 mm

Serie:

SQ

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

6.22 mm

Marke:

Vishay / Siliconix

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

62 S

Abfallzeit:

8 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

11 ns

Werkspackungsmenge:

2000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

27 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

10 ns

Gewichtseinheit:

0.050717 oz

Tags

SQD50N06-09, SQD50N06-0, SQD50N06, SQD50N0, SQD50N, SQD50, SQD5, SQD