PSMNR90-40YLHX

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Nexperia

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

LFPAK56E-4

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

40 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

300 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

940 uOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.35 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

120 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

333 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Nexperia

Abfallzeit:

33 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

46 ns

Werkspackungsmenge:

1500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

59 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

45 ns

Teil # Aliase:

934660721115

Tags

PSMNR9, PSMNR, PSMN, PSM