FDC6301N

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SSOT-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

25 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

220 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

3.8 Ohms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

8 V, - 500 mV

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

900 mW

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.1 mm

Länge:

2.9 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

FDC6301N

Transistortyp:

2 N-Channel

Typ:

FET

Breite:

1.6 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

0.25 S

Abfallzeit:

4.5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

4.5 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

4 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

5 ns

Teil # Aliase:

FDC6301N_NL

Gewichtseinheit:

0.001058 oz

Tags

FDC6301N, FDC6301, FDC630, FDC63, FDC6, FDC