AS4C1G8D3LA-12BCN

AS4C1G8D3LA-12BCN
Mfr. #:
AS4C1G8D3LA-12BCN
Hersteller:
Alliance Memory
Beschreibung:
DRAM 8G 1Gx8 800MHz 1.35V DDR3 ET
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
AS4C1G8D3LA-12BCN Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
AS4C1G8D3LA-12BCN Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Allianzgedächtnis
Produktkategorie:
DRAM
RoHS:
Y
Typ:
SDRAM - DDR3
Datenbusbreite:
8 bit
Organisation:
1 G x 8
Paket / Koffer:
FBGA-78
Speichergröße:
8 Gbit
Maximale Taktfrequenz:
800 MHz
Versorgungsspannung - Max.:
1.45 V
Versorgungsspannung - Min.:
1.283 V
Minimale Betriebstemperatur:
0 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 95 C
Serie:
AS4C1G8D3LA
Verpackung:
Tablett
Marke:
Allianzgedächtnis
Montageart:
SMD/SMT
Feuchtigkeitsempfindlich:
ja
Produktart:
DRAM
Werkspackungsmenge:
220
Unterkategorie:
Speicher & Datenspeicherung
Handelsname:
AS4C1G8D3LA-12
Tags
AS4C1G8D3LA-12, AS4C1G8D, AS4C1G, AS4C1, AS4C, AS4
Service Guarantees

We guarantee 100% customer satisfaction.

Quality Guarantees

We provide 90-360 days warranty.

If the items you received were not in perfect quality, we would be responsible for your refund or replacement, but the items must be returned in their original condition.
Our experienced sales team and tech support team back our services to satisfy all our customers.

we buy and manage excess electronic components, including excess inventory identified for disposal.
Email us if you have excess stock to sell.

Email: [email protected]

Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
DDR3L SDRAM
Alliance Memory DDR3L SDRAM uses a double data rate architecture to achieve high-speed operation. The double data rate architecture is an 8n-prefetch architecture with an interface designed to transfer two data words per clock cycle at the I/O pins. A single read or write operation for the DDR3 SDRAM effectively consists of a single 8n-bit-wide, four-clock-cycle data transfer at the internal DRAM core and eight corresponding  n-bit-wide, one-half-clock-cycle data transfers at the I/O pins.
Bild Teil # Beschreibung
AS4C1G8D3LA-10BCNTR

Mfr.#: AS4C1G8D3LA-10BCNTR

OMO.#: OMO-AS4C1G8D3LA-10BCNTR

DRAM 8G 1Gx8 933MHz 1.35V DDR3 ET
AS4C1G8D3LA-12BCN

Mfr.#: AS4C1G8D3LA-12BCN

OMO.#: OMO-AS4C1G8D3LA-12BCN

DRAM 8G 1Gx8 800MHz 1.35V DDR3 ET
AS4C1G8D3LA-12BIN

Mfr.#: AS4C1G8D3LA-12BIN

OMO.#: OMO-AS4C1G8D3LA-12BIN

DRAM 8G 1Gx8 800MHz 1.35V DDR3 IT
AS4C1G8D3LA-12BCNTR

Mfr.#: AS4C1G8D3LA-12BCNTR

OMO.#: OMO-AS4C1G8D3LA-12BCNTR

DRAM 8G 1Gx8 800MHz 1.35V DDR3 ET
AS4C1G8D3LA-12BINTR

Mfr.#: AS4C1G8D3LA-12BINTR

OMO.#: OMO-AS4C1G8D3LA-12BINTR

DRAM 8G 1Gx8 800MHz 1.35V DDR3 IT
AS4C1G8D3LA-10BIN

Mfr.#: AS4C1G8D3LA-10BIN

OMO.#: OMO-AS4C1G8D3LA-10BIN

DRAM 8G 1Gx8 933MHz 1.35V DDR3 IT
AS4C1G8D3LA-10BCN

Mfr.#: AS4C1G8D3LA-10BCN

OMO.#: OMO-AS4C1G8D3LA-10BCN

DRAM 8G 1Gx8 933MHz 1.35V DDR3 ET
AS4C1G8D3LA-10BINTR

Mfr.#: AS4C1G8D3LA-10BINTR

OMO.#: OMO-AS4C1G8D3LA-10BINTR

DRAM 8G 1Gx8 933MHz 1.35V DDR3 IT
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
2500
Menge eingeben:
Der aktuelle Preis von AS4C1G8D3LA-12BCN dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
Beginnen mit
Neueste Produkte
Top