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S34ML08G201BHA000

S34ML08G201BHA000
Mfr. #:
S34ML08G201BHA000
Hersteller:
SkyHigh Memory
Beschreibung:
NAND Flash Nand
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
S34ML08G201BHA000 Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Mehr Informationen:
S34ML08G201BHA000 Mehr Informationen
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
SkyHigh-Speicher
Produktkategorie:
Nand Flash
RoHS:
Y
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
BGA-63
Speichergröße:
8 Gbit
Oberflächentyp:
Parallel
Organisation:
1 G x 8
Timing-Typ:
Asynchron
Datenbusbreite:
8 bit
Versorgungsspannung - Min.:
2.7 V
Versorgungsspannung - Max.:
3.6 V
Versorgungsstrom - Max.:
30 mA
Minimale Betriebstemperatur:
- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 85 C
Verpackung:
Tablett
Speichertyp:
NAND
Produkt:
Nand Flash
Geschwindigkeit:
25 ns
Die Architektur:
Mehrebenen
Marke:
SkyHigh-Speicher
Feuchtigkeitsempfindlich:
ja
Produktart:
Nand Flash
Werkspackungsmenge:
210
Unterkategorie:
Speicher & Datenspeicherung
Tags
S34ML08G201B, S34ML08G2, S34ML08, S34ML0, S34ML, S34M, S34
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***ark
TRAY PKGED / 8 GB, 4-BIT ECC, X8 I/O AND 3V VCC, BGA NAND FLASH MEMORY FOR EMBEDDED
***et Europe
SLC NAND Flash Parallel 3.3V 8Gbit 1G x 8bit 30000ns 63-Pin BGA Tray
***i-Key
IC FLASH 8G PARALLEL 63BGA
S34ML0xGx SLC NAND Flash Memory
SkyHigh Memory S34ML0xGx SLC NAND Flash Memory is the first family of Single-Level Cell (SLC) NAND products using 4x nm floating-gate technology, targeted specifically for data storage in automotive, consumer, and networking applications. The SLC NAND is offered in densities from 1Gb to 8Gb, in 3.0V and 1.8V families that feature high performance, extended temperature range, long-term product support and stringent reliability demands, such as 1-bit, 4-bit Error Correction Code (ECC). The NAND cell provides the most cost-effective solution for the solid state mass storage market. The memory is divided into blocks that can be erased independently so it is possible to preserve valid data while old data is erased.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
S34ML08G201BHA000
DISTI # 428-4270-ND		Cypress SemiconductorIC FLASH 8G PARALLEL 63BGA
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tray		210In Stock
  • 630:$11.4615
  • 420:$11.5384
  • 210:$12.0598
  • 50:$13.7606
  • 25:$13.9316
  • 10:$14.1280
  • 1:$15.2600
S34ML08G201BHA000
DISTI # 727-S34ML08G201BHA00		Cypress SemiconductorNAND Flash Nand
RoHS: Compliant		210
  • 1:$23.7200
  • 5:$22.6000
  • 10:$21.9400
  • 25:$20.1600
  • 50:$19.6900
  • 100:$18.7400
  • 250:$17.2000
Bild Teil # Beschreibung
S34ML08G201BHV000

Mfr.#: S34ML08G201BHV000

OMO.#: OMO-S34ML08G201BHV000

 NAND Flash Nand
S34ML08G101BHI003

Mfr.#: S34ML08G101BHI003

OMO.#: OMO-S34ML08G101BHI003

 NAND Flash 8Gb, 3V, 25ns NAND Flash
S34ML08G201TFA000

Mfr.#: S34ML08G201TFA000

OMO.#: OMO-S34ML08G201TFA000

 NAND Flash Nand
S34ML08G201BHB000

Mfr.#: S34ML08G201BHB000

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 NAND Flash Nand
S34ML08G201TFA003

Mfr.#: S34ML08G201TFA003

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 NAND Flash Nand
S34ML08G101BHA003

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 NAND Flash Nand
S34ML08G201TFA003

Mfr.#: S34ML08G201TFA003

OMO.#: OMO-S34ML08G201TFA003-CYPRESS-SEMICONDUCTOR

 Flash Memory 8 GB, 4-BIT ECC, X8 I/O AND 3V VCCN, NAND FLASH MEMORY FOR EMBEDDED
S34ML08G201TFI003

Mfr.#: S34ML08G201TFI003

OMO.#: OMO-S34ML08G201TFI003-CYPRESS-SEMICONDUCTOR

 Flash 8G, 3V, 25ns NAND Flash
S34ML08G101TFI000CYPRESS

Mfr.#: S34ML08G101TFI000CYPRESS

OMO.#: OMO-S34ML08G101TFI000CYPRESS-1190

 Neu und Original
S34ML08G101TFI003(EOL)

Mfr.#: S34ML08G101TFI003(EOL)

OMO.#: OMO-S34ML08G101TFI003-EOL--1190

 Neu und Original
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
4000
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Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
210
10,73 $
2 253,30 $
420
9,78 $
4 107,60 $
630
9,15 $
5 764,50 $
1050
8,39 $
8 809,50 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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