FDS8958B

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

6.4 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

26 mOhms, 51 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V, 25 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.6 W

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

PowerTrench

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.75 mm

Länge:

4.9 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

FDS8958B

Transistortyp:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Breite:

3.9 mm

Marke:

ON Semiconductor / Fairchild

Abfallzeit:

2 ns, 6 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

2 ns, 6 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

12 nS, 17 nS

Typische Einschaltverzögerungszeit:

4.3 nS, 6 nS

Gewichtseinheit:

0.006596 oz

Tags

FDS8958B, FDS8958, FDS895, FDS89, FDS8, FDS