ZTX968

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

Bipolartransistoren - BJT

RoHS:

Y

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-92-3

Polarität des Transistors:

PNP

Aufbau:

Single

Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:

- 12 V

Kollektor- Basisspannung VCBO:

- 15 V

Emitter- Basisspannung VEBO:

- 6 V

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung:

- 50 mV

Maximaler DC-Kollektorstrom:

- 4.5 A

Bandbreitenprodukt fT gewinnen:

80 MHz

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Serie:

ZTX968

DC-Stromverstärkung hFE Max:

100 at - 10 mA, - 1 V

Höhe:

4.01 mm

Länge:

4.77 mm

Verpackung:

Schüttgut

Breite:

2.41 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Kontinuierlicher Kollektorstrom:

- 4.5 A

DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:

50 at - 20 A, - 1 V

Pd - Verlustleistung:

1.2 W

Produktart:

BJTs - Bipolartransistoren

Werkspackungsmenge:

4000

Unterkategorie:

Transistoren

Gewichtseinheit:

0.016000 oz

Tags

ZTX96, ZTX9, ZTX