TPW2R508NH,L1Q

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Toshiba

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

DSOP-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

75 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

170 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

2.5 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

72 nC

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

142 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Serie:

TPW2R508NH

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Toshiba

Abfallzeit:

15 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

11 ns

Werkspackungsmenge:

5000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

56 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

30 ns

Tags

TPW2R, TPW2, TPW