DMJ7N70SK3-13

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

700 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

3.9 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.9 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

13.9 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

28 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

PowerDI

Verpackung:

Spule

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Eingebaute Dioden

Abfallzeit:

10 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

11.6 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

24.5 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

8.5 ns

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

DMJ7, DMJ