BS250PSTZ

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-92-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

45 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

230 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

14 Ohms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

700 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Schüttgut

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

BS250P

Transistortyp:

1 P-Channel

Typ:

FET

Marke:

Eingebaute Dioden

Produktart:

MOSFET

Werkspackungsmenge:

4000

Unterkategorie:

MOSFETs

Gewichtseinheit:

0.016000 oz

Tags

BS250PS, BS250P, BS250, BS25, BS2