IRLR7833PBF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TO-252-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

140 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

4.5 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

38 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 175 C

Pd - Verlustleistung:

140 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Höhe:

2.3 mm

Länge:

6.5 mm

Transistortyp:

1 N-Channel

Typ:

HEXFET Leistungs-MOSFET

Breite:

6.22 mm

Marke:

Infineon / IR

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

66 S

Abfallzeit:

15 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

6.9 ns

Werkspackungsmenge:

75

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

23 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

14 ns

Teil # Aliase:

SP001552836

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

IRLR783, IRLR7, IRLR, IRL