SSM6N16FUTE85LF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Toshiba

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-363-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

20 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

100 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

5.2 Ohms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1.1 V

Pd - Verlustleistung:

200 mW

Aufbau:

Dual

Verpackung:

Spule

Höhe:

0.9 mm

Länge:

2 mm

Serie:

SSM6N16

Transistortyp:

2 N-Channel

Breite:

1.25 mm

Marke:

Toshiba

Produktart:

MOSFET

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

125 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

70 ns

Gewichtseinheit:

0.000265 oz

Tags

SSM6N16FU, SSM6N16, SSM6N1, SSM6N, SSM6, SSM