STI8N65M5

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

STMicroelectronics

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-262-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

650 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

7 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

560 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

25 V

Qg - Gate-Ladung:

15 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

70 W

Aufbau:

Single

Verpackung:

Rohr

Serie:

STI8N65M5

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

STMicroelectronics

Abfallzeit:

11 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

14 ns

Werkspackungsmenge:

50

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

50 ns

Gewichtseinheit:

0.050717 oz

Tags

STI8, STI