CPH6635-TL-H

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

ON Semiconductor

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-26-6

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal, P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

400 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

280 mOhms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

1.58 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

800 mW

Aufbau:

Dual

Verpackung:

Spule

Serie:

CPH6635

Transistortyp:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marke:

ON Semiconductor

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

0.22 S

Abfallzeit:

120 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

65 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

155 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

19 ns

Gewichtseinheit:

0.000988 oz

Tags

CPH663, CPH66, CPH6, CPH