APT66F60L

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Mikrochip

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-264-3

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

70 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

90 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

4 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

330 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

1.135 kW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Rohr

Marke:

Mikrochip / Mikrosemi

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

65 S

Abfallzeit:

70 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

85 ns

Werkspackungsmenge:

1

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

225 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

75 ns

Gewichtseinheit:

0.352740 oz

Tags

APT66, APT6, APT