DN1509K1-G

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Mikrochip

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-23-5

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

90 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

200 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

6 Ohms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

3.5 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

490 mW

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erschöpfung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.45 mm

Länge:

2.9 mm

Breite:

1.6 mm

Marke:

Mikrochip-Technologie

Abfallzeit:

25 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

16 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

15 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

12 ns

Gewichtseinheit:

0.000222 oz

Tags

DN1509, DN150, DN15, DN1