SPU04N60C3

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-251-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

4.5 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

950 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2.1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

19 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

50 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

CoolMOS

Verpackung:

Rohr

Höhe:

6.22 mm

Länge:

6.73 mm

Serie:

CoolMOS C3

Transistortyp:

1 N-Channel

Breite:

2.38 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Abfallzeit:

9.5 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

2.5 ns

Werkspackungsmenge:

1500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

58.5 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

6 ns

Teil # Aliase:

SP000095850 SPU04N60C3BKMA1 SPU4N6C3XK

Gewichtseinheit:

0.139332 oz

Tags

SPU04N60C3, SPU04N60C, SPU04N6, SPU04N, SPU04, SPU0, SPU