DMN32D2LDF-7

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SOT-353-5

Anzahl der Kanäle:

2 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

400 mA

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

1.2 Ohms

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

280 mW

Aufbau:

Dual

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1 mm

Länge:

2.2 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

DMN32

Transistortyp:

2 N-Channel

Breite:

1.35 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Produktart:

MOSFET

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Gewichtseinheit:

0.000212 oz

Tags

DMN32D2LDF-7, DMN32D2LD, DMN32D2, DMN32D, DMN32, DMN3, DMN