BSL303SPEH6327XTSA1

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Infineon

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

TSOP-6

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

6.3 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

25 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

2 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

20 V

Qg - Gate-Ladung:

20.9 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.1 mm

Länge:

3 mm

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

1.5 mm

Marke:

Infineon-Technologien

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

12.9 S

Abfallzeit:

8.3 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

7.7 ns

Werkspackungsmenge:

3000

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

23.7 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

8 ns

Teil # Aliase:

BSL303SPE H6327 SP000953144

Gewichtseinheit:

0.000480 oz

Tags

BSL303, BSL30, BSL3, BSL