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SMMJT350T3G

SMMJT350T3G
Mfr. #:
SMMJT350T3G
Hersteller:
ON Semiconductor
Beschreibung:
Bipolar Transistors - BJT BIP S0T223 PNP 0.5A 300V
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
SMMJT350T3G Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
ON Semiconductor
Produktkategorie:
Bipolartransistoren - BJT
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
SMD/SMT
Paket / Koffer:
SOT-223-4
Polarität des Transistors:
PNP
Aufbau:
Single
Kollektor- Emitterspannung VCEO Max:
300 V
Kollektor- Basisspannung VCBO:
300 V
Emitter- Basisspannung VEBO:
5 V
Maximaler DC-Kollektorstrom:
0.5 A
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
DC-Stromverstärkung hFE Max:
240
Verpackung:
Spule
Marke:
ON Semiconductor
Kontinuierlicher Kollektorstrom:
0.5 A
DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min:
30
Pd - Verlustleistung:
2.75 W
Produktart:
BJTs - Bipolartransistoren
Qualifikation:
AEC-Q101
Werkspackungsmenge:
4000
Unterkategorie:
Transistoren
Tags
SMMJT, SMMJ, SMM
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Packaging Boxes
Bild Teil # Beschreibung
SMMJT350T1G

Mfr.#: SMMJT350T1G

OMO.#: OMO-SMMJT350T1G

 Bipolar Transistors - BJT BIP S0T223 PNP 0.5A 300V
SMMJT350T3G

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OMO.#: OMO-SMMJT350T3G

 Bipolar Transistors - BJT BIP S0T223 PNP 0.5A 300V
SMMJT9435T1G

Mfr.#: SMMJT9435T1G

OMO.#: OMO-SMMJT9435T1G-1190

 - Bulk (Alt: SMMJT9435T1G)
SMMJT350T1G

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OMO.#: OMO-SMMJT350T1G-ON-SEMICONDUCTOR

 TRANS PNP 300V 0.5A SOT223
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
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