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NTD4809NH-1G

NTD4809NH-1G
Mfr. #:
NTD4809NH-1G
Hersteller:
ON Semiconductor
Beschreibung:
MOSFET NFET DPAK 30V 58A 9MOHM
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
NTD4809NH-1G Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
ON Semiconductor
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-247-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
30 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
11.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
9 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 175 C
Pd - Verlustleistung:
2 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Höhe:
6.35 mm
Länge:
6.73 mm
Transistortyp:
1 N-Channel
Breite:
2.38 mm
Marke:
ON Semiconductor
Abfallzeit:
5 ns, 3 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
20 ns, 18 ns
Werkspackungsmenge:
75
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
14 ns, 22 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
12 ns, 7 ns
Gewichtseinheit:
0.139332 oz
Tags
NTD4809NH, NTD4809N, NTD4809, NTD480, NTD48, NTD4, NTD
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***emi
Power MOSFET 30V 58A 9 mOhm Single N-Channel DPAK
***ponent Stockers
9 A 30 V 0.0125 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET
***r Electronics
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.0125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
***nell
MOSFET, N, 30V, I-PAK; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 58A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.009ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2.1V; Power Dissipation Pd: 52W; Transistor Case Style: TO-251AA; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 175°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (15-Jan-2018); Current Id Max: 58A; Operating Temperature Min: -55°C; Operating Temperature Range: -55°C to +175°C; Termination Type: Surface Mount Device; Voltage Vds Typ: 30V; Voltage Vgs Max: 2.1V; Voltage Vgs Rds on Measurement: 10V
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
NTD4809NH-1G
DISTI # NTD4809NH-1G-ND		ON SemiconductorMOSFET N-CH 30V 9A IPAK
RoHS: Compliant
Min Qty: 1275
Container: Tube		Limited Supply - Call
    NTD4809NH-1G
    DISTI # 863-NTD4809NH-1G    		ON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 30V 58A 9MOHM
    RoHS: Compliant    		0
      NTD4809NH-1GON SemiconductorPower Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 0.0125ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
      RoHS: Compliant      		3624
      • 1000:$0.1700
      • 500:$0.1800
      • 100:$0.1900
      • 25:$0.2000
      • 1:$0.2100
      NTD4809NH-1G
      DISTI # 1431314      		ON Semiconductor 
      RoHS: Compliant      		0
      • 250:$0.4570
      • 100:$0.5220
      • 25:$0.6300
      • 1:$0.7610
      Bild Teil # Beschreibung
      NTD4805N-1G

      Mfr.#: NTD4805N-1G

      OMO.#: OMO-NTD4805N-1G

      		 MOSFET NFET 30V 88A 5MOHM
      NTD4804N-1G

      Mfr.#: NTD4804N-1G

      OMO.#: OMO-NTD4804N-1G

      		 MOSFET NFET 30V 117A 4MOHM
      NTD4804NA-35G

      Mfr.#: NTD4804NA-35G

      OMO.#: OMO-NTD4804NA-35G

      		 MOSFET NFET 30V 117A 4MOHM
      NTD4806N

      Mfr.#: NTD4806N

      OMO.#: OMO-NTD4806N-1190

      		 Neu und Original
      NTD4806NG

      Mfr.#: NTD4806NG

      OMO.#: OMO-NTD4806NG-1190

      		 Neu und Original
      NTD4806NT1G

      Mfr.#: NTD4806NT1G

      OMO.#: OMO-NTD4806NT1G-1190

      		 Neu und Original
      NTD4809

      Mfr.#: NTD4809

      OMO.#: OMO-NTD4809-1190

      		 Neu und Original
      NTD4809N

      Mfr.#: NTD4809N

      OMO.#: OMO-NTD4809N-1190

      		 Neu und Original
      NTD4809NHT1G

      Mfr.#: NTD4809NHT1G

      OMO.#: OMO-NTD4809NHT1G-1190

      		 Neu und Original
      NTD4808N-1G

      Mfr.#: NTD4808N-1G

      OMO.#: OMO-NTD4808N-1G-ON-SEMICONDUCTOR

      		 IGBT Transistors MOSFET NFET 30V 63A 8MOHM
      Verfügbarkeit
      Aktie:
      Available
      Auf Bestellung:
      4500
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