TK62N60W5,S1VF

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Toshiba

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

Durchgangsloch

Paket / Koffer:

TO-247-3

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

N-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

600 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

61.8 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

36 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

3 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

30 V

Qg - Gate-Ladung:

205 nC

Minimale Betriebstemperatur:

-

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

400 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Handelsname:

DTMOSIV

Serie:

TK62N60W5

Transistortyp:

1 N-Channel

Marke:

Toshiba

Abfallzeit:

13 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

190 ns

Werkspackungsmenge:

30

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

250 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

270 ns

Gewichtseinheit:

0.211644 oz

Tags

TK62N60W5, TK62N60W, TK62N, TK62, TK6