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IPI147N12N3 G

IPI147N12N3 G
Mfr. #:
IPI147N12N3 G
Hersteller:
Infineon Technologies
Beschreibung:
MOSFET N-Ch 120V 56A I2PAK-3 OptiMOS 3
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IPI147N12N3 G Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
Infineon
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-262-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
120 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
56 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
14.7 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Qg - Gate-Ladung:
37 nC
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 175 C
Pd - Verlustleistung:
107 W
Aufbau:
Single
Handelsname:
OptiMOS
Verpackung:
Rohr
Höhe:
9.45 mm
Länge:
10.2 mm
Serie:
OptiMOS 3
Transistortyp:
1 N-Channel
Breite:
4.5 mm
Marke:
Infineon-Technologien
Abfallzeit:
4 nS
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
9 nS
Werkspackungsmenge:
500
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
24 nS
Teil # Aliase:
IPI147N12N3GAKSA1 IPI147N12N3GXK SP000652744
Gewichtseinheit:
0.084199 oz
Tags
IPI147, IPI14, IPI1, IPI
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IPI147N12N3GAKSA1
DISTI # V99:2348_06384034		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 120V 56A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
RoHS: Compliant		300
  • 100:$1.1773
  • 25:$1.2729
  • 10:$1.4328
  • 1:$1.6400
IPI147N12N3GAKSA1
DISTI # IPI147N12N3GAKSA1-ND		Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 120V 56A TO262-3
RoHS: Compliant
Min Qty: 500
Container: Tube		Temporarily Out of Stock
  • 500:$1.0285
IPI147N12N3GAKSA1
DISTI # 26197739		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 120V 56A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
RoHS: Compliant		300
  • 100:$1.1773
  • 25:$1.2729
  • 10:$1.4328
  • 9:$1.6400
IPI147N12N3GAKSA1
DISTI # IPI147N12N3GAKSA1		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 120V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-262 - Rail/Tube (Alt: IPI147N12N3GAKSA1)
RoHS: Compliant
Min Qty: 1000
Container: Tube		Americas - 0
  • 1000:$0.7689
  • 2000:$0.7419
  • 3000:$0.7149
  • 5000:$0.6909
  • 10000:$0.6779
IPI147N12N3GAKSA1
DISTI # SP000652744		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 120V 56A 3-Pin(3+Tab) TO-262 (Alt: SP000652744)
RoHS: Compliant
Min Qty: 1		Europe - 0
  • 1:€1.1469
  • 10:€0.8949
  • 25:€0.7989
  • 50:€0.7269
  • 100:€0.7059
  • 500:€0.6909
  • 1000:€0.6819
IPI147N12N3GInfineon Technologies AGPower Field-Effect Transistor, 56A I(D), 120V, 0.0147ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
RoHS: Compliant		15175
  • 1000:$0.6500
  • 500:$0.6800
  • 100:$0.7100
  • 25:$0.7400
  • 1:$0.7900
IPI147N12N3GAKSA1Infineon Technologies AGPower Field-Effect Transistor, 56A I(D), 120V, 0.0147ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-262AA
RoHS: Compliant		14000
  • 1000:$0.7100
  • 500:$0.7500
  • 100:$0.7800
  • 25:$0.8100
  • 1:$0.8700
IPI147N12N3 G
DISTI # 726-IPI147N12N3G		Infineon Technologies AGMOSFET N-Ch 120V 56A I2PAK-3 OptiMOS 3
RoHS: Compliant		1000
  • 1:$1.6100
  • 10:$1.3800
  • 100:$1.0600
  • 500:$0.9320
  • 1000:$0.7360
IPI147N12N3GAKSA1
DISTI # C1S322000525386		Infineon Technologies AGTrans MOSFET N-CH 120V 56A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
RoHS: Compliant		300
  • 100:$1.1790
  • 25:$1.2770
  • 10:$1.4409
Bild Teil # Beschreibung
04023U200JAT2A

Mfr.#: 04023U200JAT2A

OMO.#: OMO-04023U200JAT2A

 Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 25V 20pF C0G 0402 5% Tol
04023U200JAT2A

Mfr.#: 04023U200JAT2A

OMO.#: OMO-04023U200JAT2A-AVX

 Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 20pF 25volts Ultra Low ESR
Verfügbarkeit
Aktie:
840
Auf Bestellung:
2823
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Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
1
1,61 $
1,61 $
10
1,38 $
13,80 $
100
1,06 $
106,00 $
500
0,93 $
466,00 $
1000
0,74 $
736,00 $
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