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IXFH4N100Q

IXFH4N100Q
Mfr. #:
IXFH4N100Q
Hersteller:
Littelfuse
Beschreibung:
MOSFET 4 Amps 1000V 2.8 Rds
Lebenszyklus:
Neu von diesem Hersteller.
Datenblatt:
IXFH4N100Q Datenblatt
Die Zustellung:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Zahlung:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
HTML Datasheet:
IXFH4N100Q DatasheetIXFH4N100Q Datasheet (P4)
ECAD Model:
Produkteigenschaft
Attributwert
Hersteller:
IXYS
Produktkategorie:
MOSFET
RoHS:
Y
Technologie:
Si
Montageart:
Durchgangsloch
Paket / Koffer:
TO-247-3
Anzahl der Kanäle:
1 Channel
Polarität des Transistors:
N-Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:
1 kV
Id - Kontinuierlicher Drainstrom:
4 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:
3 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:
20 V
Minimale Betriebstemperatur:
- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:
+ 150 C
Pd - Verlustleistung:
150 W
Aufbau:
Single
Kanalmodus:
Erweiterung
Handelsname:
HyperFET
Verpackung:
Rohr
Höhe:
21.46 mm
Länge:
16.26 mm
Serie:
IXFH4N100
Transistortyp:
1 N-Channel
Breite:
5.3 mm
Marke:
IXYS
Abfallzeit:
18 ns
Produktart:
MOSFET
Anstiegszeit:
15 ns
Werkspackungsmenge:
30
Unterkategorie:
MOSFETs
Typische Ausschaltverzögerungszeit:
32 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:
17 ns
Gewichtseinheit:
0.229281 oz
Tags
IXFH4N100Q, IXFH4N, IXFH4, IXFH, IXF
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***el Electronic
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-247AD
***el Nordic
Contact for details
***r Electronics
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
***icroelectronics
N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFETs in TO-247 package
***ical
Trans MOSFET N-CH 1.05KV 4A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
***r Electronics
Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
***icroelectronics
N-channel 1050 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFETs in TO-247 package
***ical
Trans MOSFET N-CH 1.05KV 6A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
***icroelectronics SCT
Power MOSFETs, 1050V, 6A, TO-247, Tube
***icroelectronics
N-channel 850 V, 0.2 Ohm typ., 19 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
***r Electronics
Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
***ure Electronics
N-Channel 850 V 0.275 Ohm Flange Mount Power Mosfet - TO-247
***emi
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET® II, 800 V, 58 A, 60 mΩ, TO-247
***r Electronics
Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 800V, 0.06ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
***el Electronic
Aluminum Electrolytic Capacitors 680μF Radial, Can - SMD ±20% Tape & Reel (TR) FT 0.413 10.50mm Surface Mount Automotive, High Temperature Reflow CAP ALUM 680UF 20% 35V SMD
***nell
MOSFET, N CHANNEL, 800V, 58A, TO-247-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 58A; Drain Source Voltage Vds: 800V; On Resistance Rds(on): 0.054ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4
***rchild Semiconductor
SuperFET®II MOSFET is Fairchild Semiconductor’s brand-new high voltage super-junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on-resistance and lower gate charge performance. This technology istailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, dv/dt rate and higher avalanche energy. Consequently, SuperFET II MOSFET is very suitable for the switching power applications such as PFC, server/telecom power, FPD TV power, ATX power and industrial power applications.
Teil # Mfg. Beschreibung Aktie Preis
IXFH4N100Q
DISTI # IXFH4N100Q-ND		IXYS CorporationMOSFET N-CH 1000V 4A TO-247AD
RoHS: Compliant
Min Qty: 30
Container: Tube		Temporarily Out of Stock
  • 30:$5.7810
IXFH4N100Q
DISTI # 747-IXFH4N100Q		IXYS CorporationMOSFET 4 Amps 1000V 2.8 Rds
RoHS: Compliant		0
  • 30:$7.0500
  • 60:$6.9100
  • 120:$6.6500
  • 270:$5.6800
  • 510:$5.3800
  • 1020:$4.5400
IXFH4N100Q
DISTI # XSFT00000027581		IXYS CorporationSINGLE N-CHANNEL 1000 V 150 W 82 NC THROUGH HOLEPOWER MOSFET - TO-247
RoHS: Compliant		660 in Stock0 on Order
  • 30:$6.6800
Bild Teil # Beschreibung
IXFH46N65X2

Mfr.#: IXFH46N65X2

OMO.#: OMO-IXFH46N65X2

 MOSFET MOSFET 650V/46A Ultra Junction X2
IXFH44N50P

Mfr.#: IXFH44N50P

OMO.#: OMO-IXFH44N50P

 MOSFET 500V 44A
IXFH42N50P2

Mfr.#: IXFH42N50P2

OMO.#: OMO-IXFH42N50P2

 MOSFET PolarP2 Power MOSFET
IXFH400N075T2

Mfr.#: IXFH400N075T2

OMO.#: OMO-IXFH400N075T2

 MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 75V 400A
IXFH40N30

Mfr.#: IXFH40N30

OMO.#: OMO-IXFH40N30

 MOSFET 300V 40A
IXFH40N20

Mfr.#: IXFH40N20

OMO.#: OMO-IXFH40N20-1190

 Neu und Original
IXFH42N20P

Mfr.#: IXFH42N20P

OMO.#: OMO-IXFH42N20P-1190

 Neu und Original
IXFH46M65X2

Mfr.#: IXFH46M65X2

OMO.#: OMO-IXFH46M65X2-1190

 Neu und Original
IXFH40N50Q

Mfr.#: IXFH40N50Q

OMO.#: OMO-IXFH40N50Q-IXYS-CORPORATION

 Darlington Transistors MOSFET 500V 40A
IXFH40N30

Mfr.#: IXFH40N30

OMO.#: OMO-IXFH40N30-IXYS-CORPORATION

 MOSFET 300V 40A
Verfügbarkeit
Aktie:
Available
Auf Bestellung:
5500
Menge eingeben:
Der aktuelle Preis von IXFH4N100Q dient nur als Referenz. Wenn Sie den besten Preis erhalten möchten, senden Sie bitte eine Anfrage oder senden Sie eine direkte E-Mail an unser Verkaufsteam [email protected]
Referenzpreis (USD)
Menge
Stückpreis
ext. Preis
30
7,05 $
211,50 $
60
6,91 $
414,60 $
120
6,65 $
798,00 $
270
5,68 $
1 533,60 $
510
5,38 $
2 743,80 $
1020
4,54 $
4 630,80 $
2520
3,89 $
9 802,80 $
Aufgrund von Halbleiterknappheit ab 2021 ist der untere Preis der Normalpreis vor 2021. Bitte senden Sie eine Anfrage zur Bestätigung.
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