DMP3020LSS-13

Produkteigenschaft

Attributwert

Hersteller:

Eingebaute Dioden

Produktkategorie:

MOSFET

RoHS:

Y

Technologie:

Si

Montageart:

SMD/SMT

Paket / Koffer:

SO-8

Anzahl der Kanäle:

1 Channel

Polarität des Transistors:

P-Kanal

Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung:

30 V

Id - Kontinuierlicher Drainstrom:

12 A

Rds On - Drain-Source-Widerstand:

14 mOhms

Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung:

1 V

Vgs - Gate-Source-Spannung:

10 V

Qg - Gate-Ladung:

30.7 nC

Minimale Betriebstemperatur:

- 55 C

Maximale Betriebstemperatur:

+ 150 C

Pd - Verlustleistung:

2.5 W

Aufbau:

Single

Kanalmodus:

Erweiterung

Verpackung:

Spule

Höhe:

1.5 mm

Länge:

5.3 mm

Produkt:

MOSFET Kleinsignal

Serie:

DMP3020

Transistortyp:

1 P-Channel

Breite:

4.1 mm

Marke:

Eingebaute Dioden

Vorwärtstranskonduktanz - Min:

12 S

Abfallzeit:

30 ns

Produktart:

MOSFET

Anstiegszeit:

8 ns

Werkspackungsmenge:

2500

Unterkategorie:

MOSFETs

Typische Ausschaltverzögerungszeit:

46 ns

Typische Einschaltverzögerungszeit:

5.1 ns

Gewichtseinheit:

0.030018 oz

Tags

DMP3020LSS-1, DMP3020, DMP302, DMP30, DMP3, DMP